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三星電子二季度穩坐閃存芯片市場第一的份額（圖）
據韓國媒體報道，全球閃存市場巨頭三星電子第二季度的市場份額仍穩居第一寶座。
因日本特大地震，三星與亞軍東芝之間的差距進一步拉大，相差12.3個百分點。第一季度屈居第四的海力士，到第二季度甩開美光（Micron），奪回了季軍。而閃存現貨價格（Spot Price）近兩個月里滑落平均10%以上，創下了29個月以來的最低值。
半導體市場調研機構“DRAMeXchange”3日表示，第二季度閃存市場規模環比減少9%，達48.8億美元，其中三星電子的市場份額達40.1%（19.59億美元）。其后依次是東芝（13.57億，27.8%）、海力士（6.37億，13.1%）、美光（5.52億美元，11.3%）。
雖然韓國企業在全球閃存市場上的表現良好，但閃存價格大幅下跌。最具代表性的閃存產品“16Gb 2Gx8 MLC”7月下旬的平均現貨價格為2.74美元，比5月下旬的3.12美元下跌12.2%。這是自2009年2月下旬（2.89美元）后的最低值。其他64Gb、32Gb、8Gb產品價格也都出現了下滑，兩個月里分別下跌13.1%、9.9%和26.3%。
第一季度三星電子和東芝的市場份額差距只有1.1個百分點，而受到日本地震影響，第二季度東芝的市場份額環比下滑7.3個百分點。第二季度，三星電子和東芝的市場份額差距達12.3個百分點。此外，第一季度海力士以10.7%的份額名列第四，但到第二季度，市場份額環比提高2.4個百分點，趕超美光，奪回了第三名。
半導體可謂是打造三星的一等功臣，三星電子的半導體發展史是企業的冒險挑戰精神、董事會的決策、快速的掌握技術能力以及把握市場動向的敏銳洞察力融匯于一體的結果。
三星集團創始人李秉哲不顧公司眾人反對，毅然決然地于1983年在日本東京正式開始進軍半導體行業。對此他曾經表示，三星符合韓國缺乏資源的自然條件，只有開發高附加值、技術含量高的產品才能實現企業的第二次飛躍。 在此后的10個月內，三星電子在世界上第三個推出64K DRAM，這在國內外經濟界引起強烈反響。然而，日后由于半導體價格暴跌，企業在事業之初陷入困境。
盡管如此，三星的存儲器半導體依然取得了長足的發展，1992年率先開發成功64M DRAM，終于在世界上確保了最強的技術實力；1993年如愿以償地榮登存儲器半導體世界第一的寶座。此后于1994年和1996年連續開發成功256M和1G DRAM，這同樣擁有‘世界最先開發’的榮耀，這樣，半導體逐漸成為韓國具有代表性的產業。2002年NAND Flash位居世界榜首；2006年與2007年分別在世界上率先研制成功50納米級DRAM和30納米級NAND等，三星電子在存儲器領域的占有率超過30%，成為業界的強者。
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